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IDW30G65C5XKSA1

更新时间: 2024-11-18 14:51:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
11页 1181K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,

IDW30G65C5XKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:18 weeks
风险等级:2.26其他特性:PD-CASE
应用:EFFICIENCY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON CARBIDE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.7 V
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3最大非重复峰值正向电流:1106 A
元件数量:1相数:1
端子数量:3最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:150 W
最大重复峰值反向电压:650 V最大反向电流:220 µA
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IDW30G65C5XKSA1 数据手册

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SiC  
Silicon Carbide Diode  
5th Generation thinQ!TM  
650V SiC Schottky Diode  
IDW30G65C5  
Final Datasheet  
Rev. 2.2, 2013-01-15  
Power Management & Multimarket  

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