5秒后页面跳转
IDW30E60 PDF预览

IDW30E60

更新时间: 2024-11-19 11:15:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 电机驱动二极管
页数 文件大小 规格书
11页 1609K
描述
600 V, 30 A 发射极控制硅二极管具有  TO-247 封装,主要为高达 30kHz 的 电机驱动应用设计。

IDW30E60 数据手册

 浏览型号IDW30E60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDW30E60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDW30E60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDW30E60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDW30E60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDW30E60的Datasheet PDF文件第7页 
Diode  
Fast Switching Emitter Controlled Diode  
IDW30E60  
Emitter Controlled Diode series  
Data sheet  
Industrial & Multimarket  

与IDW30E60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDW30E65D1 INFINEON

获取价格

Material Content Data Sheet
IDW30E65D1_13 INFINEON

获取价格

Rapid Switching Emitter Controlled Diode
IDW30E65D1_15 INFINEON

获取价格

Material Content Data Sheet
IDW30G120C5B INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREE
IDW30G65C5 INFINEON

获取价格

650V SiC thinQ!™ Generation 5 diodes
IDW30G65C5_12 INFINEON

获取价格

ThinQ!™ Generation 5 represents Infineon le
IDW30G65C5XKSA1 INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW30S120 INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW30S120FKSA1 INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW32G65C5B INFINEON

获取价格

650V SiC Schottky Diode