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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDW30E60 | INFINEON |
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600 V, 30 A 发射极控制硅二极管具有 TO-247 封装，主要为高达 30kH |
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| IDW30E65D1 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| IDW30E65D1_13 | INFINEON |
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Rapid Switching Emitter Controlled Diode |
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| IDW30E65D1_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| IDW30G120C5B | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREE |
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| IDW30G65C5 | INFINEON |
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650V SiC thinQ!⢠Generation 5 diodes |
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| IDW30G65C5_12 | INFINEON |
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ThinQ!⢠Generation 5 represents Infineon le |
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| IDW30G65C5XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW30S120 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW30S120FKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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