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IDW24G65C5B_15

更新时间： 2024-11-19 01:16:43

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IDW24G65C5B_15 数据手册

SiC

Silicon Carbide Diode

5^thGeneration thinQ!^TM

650V SiC Schottky Diode

IDW24G65C5B

Final Datasheet

Rev. 2.0, 2015-04-13

Power Management & Multimarket

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDW30C65D1	INFINEON	获取价格	Rapid 1 650 V 开关,?30 A发射极控制?硅二极管具有TO-247 封装和
IDW30E60	INFINEON	获取价格	600 V, 30 A 发射极控制硅二极管具有 TO-247 封装，主要为高达 30kH
IDW30E65D1	INFINEON	获取价格	Material Content Data Sheet
IDW30E65D1_13	INFINEON	获取价格	Rapid Switching Emitter Controlled Diode
IDW30E65D1_15	INFINEON	获取价格	Material Content Data Sheet
IDW30G120C5B	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREE
IDW30G65C5	INFINEON	获取价格	650V SiC thinQ!â¢ Generation 5 diodes
IDW30G65C5_12	INFINEON	获取价格	ThinQ!â¢ Generation 5 represents Infineon le
IDW30G65C5XKSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW30S120	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,