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IDW20G65C5FKSA1

更新时间: 2024-11-18 21:15:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网功效二极管
页数 文件大小 规格书
11页 1180K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

IDW20G65C5FKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-247
包装说明:R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:8.49
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON CARBIDE二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.7 VJEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:1432 A元件数量:1
相数:1端子数量:3
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:40 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:183 W
最大重复峰值反向电压:650 V最大反向电流:220 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IDW20G65C5FKSA1 数据手册

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SiC  
Silicon Carbide Diode  
5th Generation thinQ!TM  
650V SiC Schottky Diode  
IDW20G65C5  
Final Datasheet  
Rev. 2.2, 2013-01-15  
Power Management & Multimarket  

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