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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-247 |
| 包装说明： | R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 8.49 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.7 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1432 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大输出电流： | 40 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 183 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 650 V | 最大反向电流： | 220 µA |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDW40G65C5FKSA1 | INFINEON |
类似代替  |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW20S120FKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW24G65C5B | INFINEON |
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650V SiC Schottky Diode |
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| IDW24G65C5B_15 | INFINEON |
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650V SiC Schottky Diode |
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| IDW30C65D1 | INFINEON |
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Rapid 1 650 V 开关,?30 A发射极控制?硅二极管 具有TO-247 封装和 |
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| IDW30E60 | INFINEON |
获取价格 |
600 V, 30 A 发射极控制硅二极管具有 TO-247 封装，主要为高达 30kH |
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| IDW30E65D1 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
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| IDW30E65D1_13 | INFINEON |
获取价格 |
Rapid Switching Emitter Controlled Diode |
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| IDW30E65D1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
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| IDW30G120C5B | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREE |
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