5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 其他特性： | PD-CASE |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.7 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 46 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 130 W | 最大重复峰值反向电压： | 650 V |
| 最大反向电流： | 180 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDW20G65C5FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
|
| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
|
| IDW20S120FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
|
| IDW24G65C5B | INFINEON |
获取价格 |
650V SiC Schottky Diode |
|
| IDW24G65C5B_15 | INFINEON |
获取价格 |
650V SiC Schottky Diode |
|
| IDW30C65D1 | INFINEON |
获取价格 |
Rapid 1 650 V 开关,?30 A发射极控制?硅二极管 具有TO-247 封装和 |
|
| IDW30E60 | INFINEON |
获取价格 |
600 V, 30 A 发射极控制硅二极管具有 TO-247 封装，主要为高达 30kH |
|
| IDW30E65D1 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
|
| IDW30E65D1_13 | INFINEON |
获取价格 |
Rapid Switching Emitter Controlled Diode |
|
| IDW30E65D1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Material Content Data Sheet |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
