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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, PD-CASE | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.65 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 最大非重复峰值正向电流： | 140 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 402 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 1200 V | 最大反向电流： | 166 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDW20G120C5BFKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREE |
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| IDW20G65C5 | INFINEON |
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650V SiC thinQ!⢠Generation 5 diodes |
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| IDW20G65C5_12 | INFINEON |
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ThinQ!⢠Generation 5 represents Infineon le |
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| IDW20G65C5B | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW20G65C5BXKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW20G65C5FKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW20G65C5XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW20S120FKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW24G65C5B | INFINEON |
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650V SiC Schottky Diode |
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| IDW24G65C5B_15 | INFINEON |
获取价格 |
650V SiC Schottky Diode |
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