5秒后页面跳转
IDW16G65C5_12 PDF预览

IDW16G65C5_12

更新时间: 2024-11-06 12:24:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
11页 1175K
描述
ThinQ!™ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.

IDW16G65C5_12 数据手册

 浏览型号IDW16G65C5_12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDW16G65C5_12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDW16G65C5_12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDW16G65C5_12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDW16G65C5_12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDW16G65C5_12的Datasheet PDF文件第7页 
SiC  
Silicon Carbide Diode  
5th Generation thinQ!TM  
650V SiC Schottky Diode  
IDW16G65C5  
Final Datasheet  
Rev. 2.2, 2013-01-15  
Power Management & Multimarket  

与IDW16G65C5_12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDW20C65D2 INFINEON

获取价格

Rapid 2 650 V 开关, 20 A发射极控制 硅功率二极管 具有TO-247封装
IDW20C65D2XKSA1 INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon, TO-247,
IDW20G120C5B INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREE
IDW20G120C5BFKSA1 INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREE
IDW20G65C5 INFINEON

获取价格

650V SiC thinQ!™ Generation 5 diodes
IDW20G65C5_12 INFINEON

获取价格

ThinQ!™ Generation 5 represents Infineon le
IDW20G65C5B INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW20G65C5BXKSA1 INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW20G65C5FKSA1 INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 40A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW20G65C5XKSA1 INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,