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IDW15G120C5B

更新时间： 2024-09-16 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
11页	1006K
描述
采用 TO-247-3封装的1200 V, 15A 第五代CoolSiC? 肖特基二极管为碳化硅肖特基势垒二极管提供了先进的技术。英飞凌在第二代产品推出时就已引入薄晶圆技术，现在与新的合并 pn 结结合使用，改善了二极管的浪涌能力。由此产生的结果是开发出了一系列产品，以极具吸引力的成本提供了市场领先的效率、更高的系统稳定性。

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IDW15G120C5B 数据手册

Silicon Carbide Schottky Diode

IDW15G120C5B

5^thGeneration CoolSiC™ 1200 V SiC Schottky Diode

Final Datasheet

Rev. 2.2 2021-03-01

Industrial Power Control

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDW15S120FKSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,
IDW16G65C5	INFINEON	获取价格	650V SiC thinQ!â¢ Generation 5 diodes
IDW16G65C5_12	INFINEON	获取价格	ThinQ!â¢ Generation 5 represents Infineon le
IDW20C65D2	INFINEON	获取价格	Rapid 2 650 V 开关, 20 A发射极控制硅功率二极管具有TO-247封装
IDW20C65D2XKSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon, TO-247,
IDW20G120C5B	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREE
IDW20G120C5BFKSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, GREE
IDW20G65C5	INFINEON	获取价格	650V SiC thinQ!â¢ Generation 5 diodes
IDW20G65C5_12	INFINEON	获取价格	ThinQ!â¢ Generation 5 represents Infineon le
IDW20G65C5B	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247,