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IDW10G65C5_12

更新时间: 2024-11-05 12:00:03
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英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
11页 1175K
描述
ThinQ!™ Generation 5 represents Infineon leading edge technology for the SiC Schottky Barrier diodes.

IDW10G65C5_12 数据手册

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SiC  
Silicon Carbide Diode  
5th Generation thinQ!TM  
650V SiC Schottky Diode  
IDW10G65C5  
Final Datasheet  
Rev. 2.2, 2013-01-15  
Power Management & Multimarket  

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