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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 2.27 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY, PD-CASE | 应用： | EFFICIENCY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON CARBIDE | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.65 V | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 115 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 332 W | 最大重复峰值反向电压： | 1200 V |
| 最大反向电流： | 124 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | SCHOTTKY | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDW10G65C5 | INFINEON |
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650V SiC thinQ!⢠Generation 5 diodes |
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| IDW10G65C5_12 | INFINEON |
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ThinQ!⢠Generation 5 represents Infineon le |
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| IDW10G65C5FKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW10G65C5XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW10S120FKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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| IDW12G65C5 | INFINEON |
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650V SiC thinQ!⢠Generation 5 diodes |
|
| IDW12G65C5_12 | INFINEON |
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ThinQ!⢠Generation 5 represents Infineon le |
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| IDW15E65D2 | INFINEON |
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Rapid 2 650 V 开关,?15 A 发射极控制 硅功率二极管具有TO-247 封 |
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| IDW15G120C5B | INFINEON |
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采用 TO-247-3封装的1200 V, 15A 第五代CoolSiC? 肖特基二极管 |
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| IDW15S120FKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247, |
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