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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP28,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 最大待机电流： | 0.08 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.38 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7M856S40C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M856S45CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M856S50C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 50ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M856S55CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M856S60C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 60ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M856S65CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 65ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M856S70C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M856S75CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 75ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M856S85C | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 85ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7M856S90CB | IDT |
获取价格 |
SRAM Module, 32KX8, 90ns, CMOS, CDIP28 |
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