是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T64 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 端子数量: | 64 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP64,.9 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7M828S55CB | IDT |
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SRAM Module, 128KX8, 55ns, CMOS, CDIP64 | |
IDT7M828S60CB | IDT |
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SRAM Module, 128KX8, 60ns, CMOS, CDIP64 | |
IDT7M828S70C | IDT |
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SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, CDIP64 | |
IDT7M828S70CB | ETC |
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x8 Synchronous SRAM Module | |
IDT7M856S100CB | IDT |
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SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7M856S40C | IDT |
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SRAM Module, 32KX8, 40ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7M856S45CB | IDT |
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SRAM Module, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7M856S50C | IDT |
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SRAM Module, 32KX8, 50ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7M856S55CB | IDT |
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SRAM Module, 32KX8, 55ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7M856S60C | IDT |
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SRAM Module, 32KX8, 60ns, CMOS, CDIP28 |