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IDT79R2020A12GB

更新时间: 2024-02-14 20:02:56
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6页 160K
描述
Write Buffer

IDT79R2020A12GB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:68
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.84JESD-30 代码:S-PQCC-J68
JESD-609代码:e0长度:24.2062 mm
内存密度:64 bit内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:68字数:8 words
字数代码:8工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8X8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.57 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:24.2062 mm
Base Number Matches:1

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