是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCJ, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 20 ns | JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 2304 bit | 内存宽度: | 9 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256X9 | 可输出: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B |
座面最大高度: | 3.55 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IDT7280L20PA | IDT | CMOS DUAL ASYNCHRONOUS FIFO DUAL 256 x 9, DUAL 512 x 9, DUAL 1024 x 9 |
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IDT7280L20PA8 | IDT | FIFO, 512X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO56, TSSOP-56 |
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IDT7280L20PAG8 | IDT | FIFO, 512X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO56, TSSOP-56 |
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IDT7280L20PAI | IDT | FIFO, 256X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO56, TSSOP-56 |
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IDT7280L20PAI8 | IDT | FIFO, 256X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDSO56, TSSOP-56 |
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IDT7280L20TD | IDT | FIFO, 256X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28 |
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