是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.89 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 12 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 50 MHz |
周期时间: | 20 ns | JESD-30 代码: | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 35.56 mm |
内存密度: | 2048 bit | 内存集成电路类型: | OTHER FIFO |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 256X8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | FIFOs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT72200L20TP | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72200L20TPB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72200L25SCDS-W | IDT |
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暂无描述 | |
IDT72200L25TC | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72200L25TCB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72200L25TCBSCDS-W | IDT |
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FIFO | |
IDT72200L25TP | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72200L25TPB | IDT |
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CMOS SyncFIFOO 64 x 8, 256 x 8, 512 x 8, 1024 x 8, 2048 x 8 and 4096 x 8 | |
IDT72200L25TPBSCDS-W | IDT |
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暂无描述 | |
IDT72200L25TPG | IDT |
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CMOS SyncFIFO |