是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.13 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | RETRANSMIT |
最大时钟频率 (fCLK): | 33.3 MHz | 周期时间: | 30 ns |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 36.576 mm | 内存密度: | 294912 bit |
内存集成电路类型: | OTHER FIFO | 内存宽度: | 9 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 32KX9 | 可输出: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B |
座面最大高度: | 4.699 mm | 最大待机电流: | 0.025 A |
子类别: | FIFOs | 最大压摆率: | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7207L20PG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7207L20PGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7207L20SOG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7207L20TDG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7207L20TDGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7207L20TPG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7207L20TPGI | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO | |
IDT7207L25D | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 32,768 x 9 | |
IDT7207L25DB | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO 32,768 x 9 | |
IDT7207L25DG | IDT |
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CMOS ASYNCHRONOUS FIFO |