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IDT71V65603S150BG

更新时间： 2024-11-06 23:05:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器
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26页	497K
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256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs

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IDT71V65603S150BG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.07
最长访问时间：	3.8 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	9437184 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.36 mm	最大待机电流：	0.04 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.325 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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256K x 36, 512K x 18

3.3V Synchronous ZBT™ SRAMs

ZBT™Feature

IDT71V65603

IDT71V65803

3.3V I/O, Burst Counter

PipelinedOutputs

Features

AddressandcontrolsignalsareappliedtotheSRAMduringoneclock

cycle,andtwocycleslatertheassociateddatacycleoccurs,beitreadorwrite.

TheIDT71V65603/5803containdataI/O,addressandcontrolsignal

registers.Outputenableistheonlyasynchronoussignalandcanbeused

todisabletheoutputsatanygiventime.

◆

256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆

Supports high performance system speed - 150MHz

(3.8ns Clock-to-Data Access)

ZBT^TMFeature - No dead cycles between write and read cycles

◆

Internally synchronized output buffer enable eliminates the

AClockEnable(CEN)pinallowsoperationoftheIDT71V65603/5803to

besuspendedaslongasnecessary.Allsynchronousinputsareignoredwhen

(CEN)ishighandtheinternaldeviceregisterswillholdtheirpreviousvalues.

Therearethreechipenablepins(CE1,CE2,CE2)thatallowtheuser

todeselectthedevicewhendesired.Ifanyoneofthesethreearenotasserted

whenADV/LDislow,nonewmemoryoperationcanbeinitiated.However,

anypendingdatatransfers(readsorwrites)willbecompleted.Thedatabus

willtri-statetwocyclesafterchipisdeselectedorawriteisinitiated.

TheIDT71V65603/5803haveanon-chipburstcounter.Intheburst

mode,theIDT71V65603/5803canprovidefourcyclesofdataforasingle

address presented to the SRAM. The order of the burst sequence is

defined by the LBO input pin. The LBO pin selects between linear and

interleaved burst sequence. The ADV/LD signal is used to load a new

externaladdress(ADV/LD=LOW) orincrementtheinternalburstcounter

(ADV/LD = HIGH).

need to control OE

Single R/W (READ/WRITE) control pin

Positive clock-edge triggered address, data, and control

signal registers for fully pipelined applications

4-word burst capability (interleaved or linear)

Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

Three chip enables for simple depth expansion

3.3V power supply (±5%)

3.3V I/O Supply (VDDQ)

Power down controlled by ZZ input

Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array(fBGA).

◆

Description

The IDT71V65603/5803 are 3.3V high-speed 9,437,184-bit

(9Megabit)synchronousSRAMS.Theyaredesignedtoeliminatedeadbus

cycleswhenturningthebusaroundbetweenreadsandwrites,orwritesand

The IDT71V65603/5803 SRAM utilize IDT's latest high-performance

CMOSprocess,andarepackagedinaJEDECStandard14mmx20mm100-

pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray(BGA)and

165 fine pitch ball grid array (fBGA) .

reads.Thus,theyhavebeengiventhenameZBT ,orZeroBusTurnaround.

PinDescriptionSummary

A -A

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enables

CE , CE , CE

Output Enable

R/W

CEN

Read/Write Signal

Clock Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BW , BW , BW , BW

CLK

ADV/LD

LBO

Advance burst address / Load new address

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

Static

Asynchronous

Synchronous

Static

I/O -I/O , I/O -I/O

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

DD DDQ

V , V

Supply

Static

5304 tbl 01

ZBT and Zero Bus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Micron Technology and Motorola, Inc.

DECEMBER 2002

DSC-5304/05

12 3 4 5 6 7...26

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V65603S150BG8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V65603S150BGG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, MS-028AA, BGA-119
IDT71V65603S150BGG8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MO-028AA, BGA-119
IDT71V65603S150BGGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, MO-028AA, BGA-119
IDT71V65603S150BGI	IDT	获取价格	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65603S150BQ	IDT	获取价格	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs
IDT71V65603S150BQ8	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, BGA-165
IDT71V65603S150BQG	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
IDT71V65603S150BQGI	IDT	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, BGA-165
IDT71V65603S150BQI	IDT	获取价格	256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs

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