是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.51 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 10 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 4718592 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX36 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V547S100PFI | IDT |
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128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs | |
IDT71V547S100PFI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S100PFI9 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S12PFG | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S75PF | ETC |
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x36 Fast Synchronous SRAM | |
IDT71V547S75PF8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S75PF9 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S75PFG8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V547S80PF | IDT |
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128K X 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs | |
IDT71V547S80PFG | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |