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IDT71V432S5PFG

更新时间： 2024-09-17 13:08:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
18页	269K
描述
Cache SRAM, 32KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V432S5PFG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V432S5PFG 数据手册

32Kx32CacheRAM™

3.3VSynchronousSRAM

BurstCounter

IDT71V432

SingleCycleDeselect

Features

processor interfaces. The pipelined burst architecture provides cost-

effective 3-1-1-1 secondary cache performance for processors up to

100 MHz.

◆

32K x 32 memory configuration

◆

Supports high-performance system speed:

The IDT71V432 CacheRAM contains write, data, address, and

controlregisters.InternallogicallowstheCacheRAMtogenerateaself-

timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheextremeend

ofthewritecycle.

CommercialandIndustrial:

— 5ns Clock-to-DataAccess (100MHz)

— 6ns Clock-to-DataAccess (83MHz)

— 7ns Clock-to-DataAccess (66MHz)

Single-cycle deselect functionality (Compatible with

Micron Part # MT58LC32K32D7LG-XX)

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

Power down controlled by ZZ input

◆

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner, as the IDT71V432canprovide fourcycles ofdata for

asingleaddresspresentedtotheCacheRAM.Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges.The

orderofthesethreeaddresseswillbedefinedbytheinternalburstcounter

andthe LBO inputpin.

◆

Operates with a single 3.3V power supply (+10/-5%)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin rectangular plastic

thin quad flatpack (TQFP).

◆

TheIDT71V432CacheRAMutilizes IDT's high-performance,high-

volume 3.3V CMOS process, and is packaged in a JEDEC Standard

Description

The IDT71V432 is a 3.3V high-speed 1,048,576-bit CacheRAM 14mmx20mm100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)foroptimumboard

organizedas32Kx32withfullsupportofthePentium™andPowerPC™ densityinbothdesktopandnotebookapplications.

PinDescriptionSummary

A –A

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS , CS

Chips Selects

Output Enable

BWE

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BW BW BW BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Asynchronous

Synchronous

I/O –I/O

Data Input/Output

3.3V Power

Power

Ground

3104 tbl 01

CacheRAMisatrademarkofIntegratedDeviceTechnology.

PentiumprocessorisatrademarkofIntelCorp.

PowerPCisatrademarkofInternationalBusinessMachines,Inc.

AUGUST 2001

DSC-3104/05

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V432S5PFGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S5PFGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S5PFI	IDT	获取价格	32K x 32 CacheRAM 3.3V Synchronous SRAM Burst Counter Single Cycle Deselect
IDT71V432S6PF	IDT	获取价格	32K x 32 CacheRAM 3.3V Synchronous SRAM Burst Counter Single Cycle Deselect
IDT71V432S6PF9	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S6PFG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S6PFG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V432S6PFI	IDT	获取价格	32K x 32 CacheRAM 3.3V Synchronous SRAM Burst Counter Single Cycle Deselect
IDT71V432S7PF	IDT	获取价格	32K x 32 CacheRAM 3.3V Synchronous SRAM Burst Counter Single Cycle Deselect
IDT71V432S7PF8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 32KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

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