是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | 0.400 INCH, TSOP2-44 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.7 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 18.41 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP44,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.02 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.16 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
71V424S15PHG | IDT |
功能相似 |
3.3V CMOS Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V424S15PHG | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) | |
IDT71V424S15PHGI | IDT |
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3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) | |
IDT71V424S15PHI | IDT |
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3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) | |
IDT71V424S15Y | IDT |
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3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) | |
IDT71V424S15YG | IDT |
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3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) | |
IDT71V424S15YG8 | IDT |
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Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 | |
IDT71V424S15YGI | IDT |
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3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) | |
IDT71V424S15YI | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) | |
IDT71V424S15YI8 | IDT |
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Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 | |
IDT71V424S20Y | IDT |
获取价格 |
3.3V CMOS STATIC RAM 4 MEG (512K x 8-BIT) |