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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 5 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 |
| JESD-609代码： | e1 | 内存密度： | 4718592 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX36 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA165,11X15,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.045 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.255 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V3556S100BQI8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
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| IDT71V3556S100PF | ETC |
获取价格 |
x36 Fast Synchronous SRAM |
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| IDT71V3556S100PF8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| IDT71V3556S100PF9 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| IDT71V3556S100PFG | IDT |
获取价格 |
128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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| IDT71V3556S100PFG8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC |
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| IDT71V3556S100PFGI | IDT |
获取价格 |
128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
|
| IDT71V3556S100PFI | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 |
|
| IDT71V3556S100PFI9 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 |
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| IDT71V3556S133BG | ETC |
获取价格 |
SYNC SRAM|128KX36|CMOS|BGA|119PIN|PLASTIC |
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