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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 5 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e1 |
| 内存密度： | 4718592 bit | 内存集成电路类型： | ZBT SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.04 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.25 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V3556S100BGGI | IDT |
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128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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| IDT71V3556S100BGGI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119 |
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| IDT71V3556S100BGI | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
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| IDT71V3556S100BGI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 |
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| IDT71V3556S100BQ8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
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| IDT71V3556S100BQG | IDT |
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128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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| IDT71V3556S100BQG8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
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| IDT71V3556S100BQGI | IDT |
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128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
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| IDT71V3556S100BQGI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
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| IDT71V3556S100BQI8 | IDT |
获取价格 |
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165 |
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