5秒后页面跳转
IDT71V3556S100BG8 PDF预览

IDT71V3556S100BG8

更新时间: 2024-11-27 06:40:47
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 2166K
描述
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

IDT71V3556S100BG8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
针数:119Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.3最长访问时间:5 ns
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PBGA-B119JESD-609代码:e0
长度:22 mm内存密度:4718592 bit
内存集成电路类型:ZBT SRAM内存宽度:36
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:119字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.36 mm
最大待机电流:0.04 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm

IDT71V3556S100BG8 数据手册

 浏览型号IDT71V3556S100BG8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT71V3556S100BG8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT71V3556S100BG8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT71V3556S100BG8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT71V3556S100BG8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT71V3556S100BG8的Datasheet PDF文件第7页 

与IDT71V3556S100BG8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V3556S100BGG IDT

获取价格

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S100BGG8 IDT

获取价格

ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3556S100BGGI IDT

获取价格

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S100BGGI8 IDT

获取价格

ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3556S100BGI IDT

获取价格

ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
IDT71V3556S100BGI8 IDT

获取价格

ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
IDT71V3556S100BQ8 IDT

获取价格

ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3556S100BQG IDT

获取价格

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
IDT71V3556S100BQG8 IDT

获取价格

ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3556S100BQGI IDT

获取价格

128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs