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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.57 | 最长访问时间： | 55 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 52 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.115 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71V321S55JGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52 |
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| IDT71V321S55JI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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| IDT71V321S55JI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQCC52 |
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| IDT71V321S55PF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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| IDT71V321S55PF8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |
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| IDT71V321S55PF9 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |
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| IDT71V321S55PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
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| IDT71V321S55PFG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT71V321S55PFGI | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT71V321S55PFI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPT |
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