Datasheet > IDT71V2578YSA133BQGI

IDT71V2578YSA133BQGI

更新时间： 2024-11-21 21:10:55

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	233K
描述
Cache SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V2578YSA133BQGI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	GREEN, FBGA-165
针数：	165	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.8	最长访问时间：	4.2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B165
JESD-609代码：	e1	长度：	15 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	18	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	165
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装等效代码：	BGA165,11X15,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.035 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	13 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V2578YSA133BQGI 数据手册

浏览型号IDT71V2578YSA133BQGI的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT71V2578YSA133BQGI的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT71V2578YSA133BQGI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT71V2578YSA133BQGI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT71V2578YSA133BQGI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT71V2578YSA133BQGI的Datasheet PDF文件第7页

128K X 36, 256K X 18

IDT71V2576YS

IDT71V2578YS

IDT71V2576YSA

IDT71V2578YSA

3.3VSynchronousSRAMs

2.5V I/O, Pipelined Outputs,

Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features

Description

◆

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

The IDT71V2576/78 are high-speed SRAMs organized as 128K x

36/256Kx18.TheIDT71V2576/78SRAMscontainwrite,data,address

andcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-

timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewrite

cycle.

◆

Supports high system speed:

CommercialandIndustrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite systemdesigner,astheIDT71V2576/78canprovidefourcyclesofdata

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

2.5V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

compliant) datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball andthe LBO inputpin.

grid array (fBGA)

forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

◆

The IDT71V2576/78 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119 ballgridarray

(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A0-A17

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

, CS

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

BW , BW

(1)

, BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

TMS

TDI

Synchronous

N/A

TCK

TDO

TRST

Test Clock

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

I/O

-I/O31, I/OP1-I/OP4

DD, VDDQ

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

N/A

6447 tbl 01

NOTE:

APRIL 2006

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V2578.

DSC-6447/0A

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT71V2578YSA133BQGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V2578YSA133BQI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2578YSA133PF	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2578YSA133PFI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2578YSA150BG	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2578YSA150BGGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, GREEN, BGA-119
IDT71V2578YSA150BGI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2578YSA150BQ	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2578YSA150BQG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165
IDT71V2578YSA150BQGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 256KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA165, GREEN, FBGA-165
IDT71V2578YSA150BQI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si

与IDT71V2578YSA133BQGI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

28
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

21
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

50
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

48

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V2578YSA133BQGI

IDT71V2578YSA133BQGI 技术参数

IDT71V2578YSA133BQGI 数据手册

与IDT71V2578YSA133BQGI相关器件

与IDT71V2578YSA133BQGI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V2578YSA133BQGI

IDT71V2578YSA133BQGI 技术参数

IDT71V2578YSA133BQGI 数据手册

与IDT71V2578YSA133BQGI相关器件

与IDT71V2578YSA133BQGI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？