生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TBGA, | 针数: | 165 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.8 |
最长访问时间: | 8.5 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 15 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX36 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 13 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IDT71V2577YSA85BQI | IDT | 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin |
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IDT71V2577YSA85PF | IDT | 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin |
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IDT71V2577YSA85PFI | IDT | 128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin |
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IDT71V25781 | IDT | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si |
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IDT71V2578166BG | IDT | Standard SRAM, 256KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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IDT71V2578183PF | IDT | Standard SRAM, 256KX18, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100 |
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