生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 55 ns | JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 13.97 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.048 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 宽度: | 11.43 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7165S55LB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
IDT7165S55P | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7165S55PE | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDSO28 | |
IDT7165S55SO | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7165S55TB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28 | |
IDT7165S55TC | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT7165S55TCB | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7165S55TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7165S55Y | IDT |
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暂无描述 | |
IDT71681L70C | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 4KX4, 70ns, CMOS, CDIP24 |