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IDT7165S55L32B8

更新时间: 2024-11-14 18:51:47
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
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9页 252K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, LCC-32

IDT7165S55L32B8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:QFJ
包装说明:QCCN,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:R-CQCC-N32
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.048 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

IDT7165S55L32B8 数据手册

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