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IDT7165S55J

更新时间: 2024-11-14 20:02:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 241K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

IDT7165S55J 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:PLASTIC, LCC-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQCC-J32JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.55 mm最大待机电流:0.015 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.15 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1

IDT7165S55J 数据手册

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