是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.300 INCH, SOJ-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.69 | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17.9324 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.556 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.5184 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164S15YB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164S15YG | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 | |
IDT7164S15YG8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SOJ-28 | |
IDT7164S19J | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
IDT7164S19P | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
IDT7164S19SO | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 | |
IDT7164S19TP | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT7164S19Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 19ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, SOJ-28 | |
IDT7164S200DB | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
IDT7164S200EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 200ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |