是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, PLASTIC, DIP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.68 | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | BATTERY BACK UP | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 61.849 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 48 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP48,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.22 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7142SA25PB | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7142SA25PG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, GREEN, PL | |
IDT7142SA25PGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, GREEN, PL | |
IDT7142SA25PGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, GREEN, PL | |
IDT7142SA25PI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS | |
IDT7142SA30CB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7142SA30F | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7142SA30FB | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7142SA30J | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT7142SA30J8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |