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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCN, | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.53 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码： | S-CQCC-N52 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 19.05 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QCCN |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.2098 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 19.05 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71421SA25PF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT71421SA25PF8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64 |
|
| IDT71421SA25PF9 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64 |
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| IDT71421SA25PFGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT71421SA25PFI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT71421SA25PFI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT71421SA25TF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT71421SA25TF8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64 |
|
| IDT71421SA25TFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, STQFP-64 |
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| IDT71421SA25TFG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64 |
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