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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 8192 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 64 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 1KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP64,.66SQ,32 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.23 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7140SA35PFGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35PG | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35PGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35PGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35TF | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140SA35TFB | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140SA35TFG | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35TFGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140SA35TFGB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQFP64 |
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| IDT7140SA35TFGI | IDT |
获取价格 |
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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