Datasheet > 存储 > SRAM> IDT7140SA25L48G

IDT7140SA25L48G

更新时间： 2024-11-04 05:22:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
19页	155K
描述
HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7140SA25L48G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCN, LCC48,.56SQ,40	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-XQCC-N48
JESD-609代码：	e3	长度：	14.3002 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	48
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC48,.56SQ,40
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.048 mm	最大待机电流：	0.015 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.016 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14.3002 mm	Base Number Matches：	1

IDT7140SA25L48G 数据手册

IDT7130SA/LA

IDT7140SA/LA

HIGH SPEED

1K X 8 DUAL-PORT

STATIC SRAM

Features

◆

On-chip port arbitration logic (IDT7130 Only)

High-speed access

◆

BUSY output flag on IDT7130; BUSY input on IDT7140

INT flag for port-to-port communication

– Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.)

– Industrial: 25/55/100ns (max.)

– Military: 25/35/55/100ns (max.)

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation–2V data retention (LA only)

TTL-compatible, single 5V ±10% power supply

Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Available in 48-pin DIP, LCC and Ceramic Flatpack, 52-pin

PLCC, and 64-pin STQFP and TQFP

Green parts available, see ordering information

◆

Low-power operation

– IDT7130/IDT7140SA

— Active: 550mW (typ.)

— Standby: 5mW (typ.)

– IDT7130/IDT7140LA

— Active: 550mW (typ.)

— Standby: 1mW (typ.)

◆

MASTER IDT7130 easily expands data bus width to 16-or-

more-bits using SLAVE IDT7140

Functional Block Diagram

OER

OEL

R/W

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

(1,2)

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSY

BUSYR

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

and

INTERRUPT

LOGIC

R/W

OEL

R/W

(2)

INT

INTL

2689 drw 01

NOTES:

1. IDT7130 (MASTER): BUSY is open drain output and requires pullup resistor.

IDT7140 (SLAVE): BUSY is input.

2. Open drain output: requires pullup resistor.

APRIL 2006

DSC-2689/13

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与IDT7140SA25L48G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7140SA25L48GB	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140SA25L48GB8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48
IDT7140SA25L48GI	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7140SA25L48GI8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48
IDT7140SA25L48I	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
IDT7140SA25L48I8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC48
IDT7140SA25L52	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT7140SA25L52B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT7140SA25P	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7140SA25PB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

与IDT7140SA25L48G相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

8
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7140SA25L48G

IDT7140SA25L48G 技术参数

IDT7140SA25L48G 数据手册

与IDT7140SA25L48G相关器件

与IDT7140SA25L48G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7140SA25L48G

IDT7140SA25L48G 技术参数

IDT7140SA25L48G 数据手册

与IDT7140SA25L48G相关器件

与IDT7140SA25L48G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？