是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.66 |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDIP-T48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 60.96 mm |
内存密度: | 32768 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 4KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 4.826 mm |
最大待机电流: | 0.03 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.31 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7134SA25CG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, SI | |
IDT7134SA25CGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, SI | |
IDT7134SA25CGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, 0.620 X 2.430 INCH, 0.150 INCH HEIGHT, GREEN, SI | |
IDT7134SA25CI | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7134SA25F | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7134SA25F8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7134SA25FB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7134SA25FG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, CQFP48, 0.750 X 0.750 INCH, 0.110 INCH HEIGHT, GREEN, CE | |
IDT7134SA25FG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7134SA25FGB | IDT |
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暂无描述 |