是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFF |
包装说明: | 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, MO-081AA, GREEN, FP-68 | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.3 |
最长访问时间: | 25 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
JESD-30 代码: | S-CQFP-F68 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 24.0792 mm | 内存密度: | 32768 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QFF | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度: | 3.683 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 24.0792 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7133SA25FI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA25G | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA25GB | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA25GGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 25ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, MO-067AC | |
IDT7133SA25GI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA25J | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA25J8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 25ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
IDT7133SA25JB | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7133SA25JGB | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7133SA25JGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX16, 25ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P |