Datasheet > IDT7133S55LB

IDT7133S55LB

更新时间： 2024-11-20 08:50:55

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	1258K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX16, 55ns, CMOS, CQCC68, LCC-68

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7133S55LB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	LCC-68	针数：	68
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.66
最长访问时间：	55 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CQCC-N68
JESD-609代码：	e0	长度：	24.13 mm
内存密度：	32768 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	68
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX16
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC68,.95SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	2.4892 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.28 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	24.13 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7133S55P	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX16, 55ns, CMOS, PDIP68
IDT7133S55PG	ETC	获取价格	x16 Dual-Port SRAM
IDT7133S55XC	ETC	获取价格	x16 Dual-Port SRAM
IDT7133S70FB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX16, 70ns, CMOS, CQFP68, QFP-68
IDT7133S70FG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX16, 70ns, CMOS, CQFP68, QFP-68
IDT7133S70FGB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX16, 70ns, CMOS, CQFP68, QFP-68
IDT7133S70G	ETC	获取价格	x16 Dual-Port SRAM
IDT7133S70GB	ETC	获取价格	x16 Dual-Port SRAM
IDT7133S70GM	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX16, 70ns, CMOS, CPGA68
IDT7133S70J	ETC	获取价格	x16 Dual-Port SRAM