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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-52 | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | BATTERY BACKUP OPERATION |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 19.1262 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71322L70P | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 |
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| IDT71322L70PB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 70ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 |
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| IDT71322S45C | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| IDT71322S45CB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-48 |
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| IDT71322S45J | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| IDT71322S45JB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT71322S45JBG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT71322S45P | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 |
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| IDT71322S45PB | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 45ns, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 |
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| IDT71322S50C | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 50ns, CDIP48, 0.600 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-48 |
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