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IDT71257S25L

更新时间： 2025-07-19 20:20:39

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	200K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

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IDT71257S25L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QLCC
包装说明：	LCC-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	25 ns	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-CQCC-N28	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX1	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC28,.35X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.048 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8.89 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71257S25LB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71257S25P	ETC	获取价格	x1 SRAM
IDT71257S25SO	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24
IDT71257S25Y	ETC	获取价格	x1 SRAM
IDT71257S35CB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24
IDT71257S35L	ETC	获取价格	x1 SRAM
IDT71257S35LB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71257S35P	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
IDT71257S35SO	ETC	获取价格	x1 SRAM
IDT71257S35Y	ETC	获取价格	x1 SRAM