IDT71257L55CB PDF预览

IDT71257L55CB

更新时间: 2025-07-21 20:20:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 200K
描述
Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24

IDT71257L55CB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24针数:24
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-CDIP-T24
JESD-609代码:e0长度:30.607 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256KX1
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.14 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

IDT71257L55CB 数据手册

 浏览型号IDT71257L55CB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT71257L55CB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT71257L55CB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT71257L55CB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT71257L55CB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT71257L55CB的Datasheet PDF文件第7页 

与IDT71257L55CB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71257L55L IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71257L55LB IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71257L55P IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
IDT71257L55SO IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX1, 55ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24
IDT71257L55Y ETC

获取价格

x1 SRAM
IDT71257L70CB IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24
IDT71257L70LB IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX1, 70ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71257S20L ETC

获取价格

x1 SRAM
IDT71257S20P IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX1, 20ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
IDT71257S20SO IDT

获取价格

Standard SRAM, 256KX1, 20ns, CMOS, PDSO24, SOIC-24