IDT71256S35TDB

更新时间： 2024-11-18 22:18:51

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9页	82K
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CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)

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IDT71256S35TDB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.6	针数：	28
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.31
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-GDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	37.1475 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.02 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	7.62 mm

IDT71256S35TDB 数据手册

IDT71256S

IDT71256L

CMOS STATIC RAM

256K (32K x 8-BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

• High-speed address/chip select time

DESCRIPTION:

— Military: 25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns (max.)

— Commercial: 20/25/35/45ns (max.) Low Power only.

• Low-power operation

The IDT71256 is a 262,144-bit high-speed static RAM

organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-

performance, high-reliability CMOS technology.

• Battery Backup operation — 2V data retention

• Produced with advanced high-performance CMOS

technology

• Input and output directly TTL-compatible

• Available in standard 28-pin (300 or 600 mil) ceramic

DIP, 28-pin (600 mil) plastic DIP, 28-pin (300 mil) SOJ

and 32-pin LCC

Address access times as fast as 20ns are available with

power consumption of only 350mW (typ.). The circuit also

offers a reduced power standby mode. When CSgoes HIGH,

the circuit will automatically go to, and remain in, a low-power

standbymodeaslongasCSremainsHIGH. Inthefullstandby

mode, the low-power device consumes less than 15µW,

typically. This capability provides significant system level

power and cooling savings. The low-power (L) version also

offers a battery backup data retention capability where the

circuit typically consumes only 5µW when operating off a 2V

battery.

• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

The lDT71256 is packaged in a 28-pin (300 or 600 mil)

ceramic DIP, a 28-pin 300 mil J-bend SOlC, and a 28-pin (600

mil) plastic DIP, and 32-pin LCC providing high board-level

packing densities.

TheIDT71256militaryRAMismanufacturedincompliance

with the latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it

ideally suited to military temperature applications demanding

the highest level of performance and reliability.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

V_CC

GND

262,144 BIT

MEMORY ARRAY

ADDRESS

DECODER

A14

I/O 0

I/O CONTROL

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O ₇

CONTROL

CIRCUIT

2946 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

AUGUST 1996

1996 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-2946/7

7.2

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IDT71256S35DB	IDT	功能相似	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)

与IDT71256S35TDB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71256S35TP	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
IDT71256S35XEB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28
IDT71256S35Y	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256S35YB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256S35YG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28
IDT71256S45D	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256S45DB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256S45DM	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDIP28
IDT71256S45E	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28
IDT71256S45EB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28

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