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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | QFJ | 包装说明： | LCC-32 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.12 | 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13.97 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 32KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度： | 3.048 mm | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.165 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 11.43 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71256S35L32B8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| IDT71256S35LB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256S35LBG | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| IDT71256S35P | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256S35PB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256S35PE | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IDT71256S35PEG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
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| IDT71256S35PK | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
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| IDT71256S35SO | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28 |
|
| IDT71256S35TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-28 |
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