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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | 0.330 INCH, SOIC-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.66 |
| 最长访问时间： | 30 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 18.3642 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.048 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 8.763 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71256L30PK | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IDT71256L30TC | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| IDT71256L30TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| IDT71256L30TD | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
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| IDT71256L30TDB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71256L30TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| IDT71256L30XE | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
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| IDT71256L30XEB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
|
| IDT71256L30Y | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT) |
|
| IDT71256L30Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |
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