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IDT71256L30P

更新时间： 2024-09-28 22:57:19

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
9页	82K
描述
CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)

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IDT71256L30P 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.73	最长访问时间：	30 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	36.576 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.699 mm
最大待机电流：	0.00012 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.145 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

IDT71256L30P 数据手册

IDT71256S

IDT71256L

CMOS STATIC RAM

256K (32K x 8-BIT)

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

• High-speed address/chip select time

DESCRIPTION:

— Military: 25/30/35/45/55/70/85/100/120/150ns (max.)

— Commercial: 20/25/35/45ns (max.) Low Power only.

• Low-power operation

The IDT71256 is a 262,144-bit high-speed static RAM

organized as 32K x 8. It is fabricated using IDT’s high-

performance, high-reliability CMOS technology.

• Battery Backup operation — 2V data retention

• Produced with advanced high-performance CMOS

technology

• Input and output directly TTL-compatible

• Available in standard 28-pin (300 or 600 mil) ceramic

DIP, 28-pin (600 mil) plastic DIP, 28-pin (300 mil) SOJ

and 32-pin LCC

Address access times as fast as 20ns are available with

power consumption of only 350mW (typ.). The circuit also

offers a reduced power standby mode. When CSgoes HIGH,

the circuit will automatically go to, and remain in, a low-power

standbymodeaslongasCSremainsHIGH. Inthefullstandby

mode, the low-power device consumes less than 15µW,

typically. This capability provides significant system level

power and cooling savings. The low-power (L) version also

offers a battery backup data retention capability where the

circuit typically consumes only 5µW when operating off a 2V

battery.

• Military product compliant to MIL-STD-883, Class B

The lDT71256 is packaged in a 28-pin (300 or 600 mil)

ceramic DIP, a 28-pin 300 mil J-bend SOlC, and a 28-pin (600

mil) plastic DIP, and 32-pin LCC providing high board-level

packing densities.

TheIDT71256militaryRAMismanufacturedincompliance

with the latest revision of MIL-STD-883, Class B, making it

ideally suited to military temperature applications demanding

the highest level of performance and reliability.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

V_CC

GND

262,144 BIT

MEMORY ARRAY

ADDRESS

DECODER

A14

I/O 0

I/O CONTROL

INPUT

DATA

CIRCUIT

I/O ₇

CONTROL

CIRCUIT

2946 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

AUGUST 1996

1996 Integrated Device Technology, Inc.

DSC-2946/7

7.2

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71256L30PB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256L30PE	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT71256L30PE8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28
IDT71256L30PEG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDSO28, 0.330 INCH, SOIC-28
IDT71256L30PK	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT71256L30TC	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT71256L30TCB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28
IDT71256L30TD	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256L30TDB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256L30TP	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

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