是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | FPBGA-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 18 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B100 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 10 mm | 内存密度: | 147456 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 18 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 8KX18 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFBGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.5 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V9359L7BFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V9359L7PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V9359L7PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V9359L7PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V9359L7PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V9359L7PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V9359L7PFI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 18ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT70V9359L9BF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V9359L9BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX18, 20ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100 | |
IDT70V9359L9BFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |