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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | QFP, QFP100,.63SQ,20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.41 |
| 最长访问时间： | 18 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 83 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63SQ,20 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.25 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V9289L7PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x18/x16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9289L7PRF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x18/x16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9289L7PRF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX16, 18ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V9289L7PRF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX16, 18ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V9289L7PRFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX16, 18ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-128 |
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| IDT70V9289L7PRFG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX16, 18ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V9289L7PRFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX16, 7.5ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V9289L7PRFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x18/x16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9289L9PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x18/x16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9289L9PF8 | IDT |
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Application Specific SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100 |
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