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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, BGA256,16X16,40 | 针数： | 256 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.14 |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 83 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B256 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 17 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 256 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装等效代码： | BGA256,16X16,40 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.5 mm | 最小待机电流： | 3.15 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.31 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 17 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V3579S6DR | IDT |
功能相似  |
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Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208 |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE |
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Dual-Port SRAM, 32KX36, 6ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MO |
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