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IDT70V3579S5BCG

更新时间： 2024-11-23 12:59:03
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT /
页数 文件大小 规格书
16页 188K
描述
Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREEN, BGA-256

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IDT70V3579S5BCG 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA, BGA256,16X16,40针数：256
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.14
Is Samacsys：N最长访问时间：5 ns
其他特性：PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE最大时钟频率 (fCLK)：100 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B256
JESD-609代码：e1长度：17 mm
内存密度：1179648 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：256字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA256,16X16,40封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.7 mm
最小待机电流：3.15 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.36 mA最大供电电压 (Vsup)：3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：3.15 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：17 mmBase Number Matches：1

IDT70V3579S5BCG 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36  
SYNCHRONOUS PIPELINED  
DUAL-PORT STATIC RAM  
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE  
IDT70V3579S  
Features:  
address inputs @ 133MHz  
– Data input, address, byte enable and control registers  
– Self-timedwriteallowsfastcycletime  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
LVTTL- compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for  
core  
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±125mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is  
available for selected speeds  
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP) and  
208-pin fine pitch Ball Grid Array, and 256-pin Ball Grid  
Array  
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed clock to data access  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
– Commercial:4.2/5/6ns (max.)  
– Industrial:5/6ns (max)  
Pipelined output mode  
Counter enable and reset features  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
additional logic  
Full synchronous operation on both ports  
– 7.5ns cycle time, 133MHzoperation(9.6Gbps bandwidth)  
– Fast 4.2ns clock to data out  
◆
◆
◆
◆
– 1.8ns setup to clock and 0.7ns hold on all control, data, and  
Functional Block Diagram  
BE3L  
BE3R  
2R  
BE  
BE2L  
BE1L  
BE1R  
BE0R  
BE0L  
L
W
R/  
WR  
R/  
B
B
B
B
B
B B B  
W W W W W WW W  
0
L
1
L
2
L
3
L
3
R
2
1
0
R
CE0L  
R R  
CE0R  
1R  
1L  
CE  
CE  
OEL  
OER  
Dout0-8_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
Dout18-26_R  
Dout27-35_R  
Dout9-17_L  
Dout18-26_L  
Dout27-35_L  
32K x 36  
MEMORY  
ARRAY  
0L  
35L  
I/O - I/O  
Din_L  
0R  
35R  
I/O - I/O  
Din_R  
,
L
CLK  
R
CLK  
14L  
A
14R  
0R  
A
A
Counter/  
Address  
Reg.  
Counter/  
Address  
Reg.  
0L  
A
ADDR_L  
ADDR_R  
CNTRSTL  
CNTRSTR  
R
ADS  
ADSL  
L
R
CNTEN  
CNTEN  
4830 tbl 01  
JULY 2001  
1
DSC 4830/13  
©2001IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...16

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与IDT70V3579S5BCG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V3579S5BCGI8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
IDT70V3579S5BCI IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3579S5BCI8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
IDT70V3579S5BF IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3579S5BF8 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208
IDT70V3579S5BFG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 32KX36, 5ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, GRE
IDT70V3579S5BFG8 IDT

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