5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LFBGA, BGA208,17X17,32 | 针数： | 208 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.12 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 5 ns |
| 其他特性： | PIPELINED OUTPUT MODE, SELF TIMED WRITE CYCLE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-CBGA-B208 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 15 mm |
| 内存密度： | 589824 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 208 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 16KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | LFBGA |
| 封装等效代码： | BGA208,17X17,32 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.5/3.3,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.7 mm |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 3.15 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.415 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3.15 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 15 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V3569S5BFI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE |
|
| IDT70V3569S5DR | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE |
|
| IDT70V3569S5DR8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX36, 5ns, CMOS, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 |
|
| IDT70V3569S5DR9 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX36, 5ns, CMOS, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 |
|
| IDT70V3569S5DRG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX36, 5ns, CMOS, PQFP208, 28 MM X 28 MM X 3.5 MM, GREEN, PLASTIC, QFP-20 |
|
| IDT70V3569S5DRGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX36, 5ns, CMOS, PQFP208, 28 MM X 28 MM X 3.5 MM, GREEN, PLASTIC, QFP-20 |
|
| IDT70V3569S5DRGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX36, 5ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 |
|
| IDT70V3569S5DRI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE |
|
| IDT70V3569S5DRI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX36, 5ns, PQFP208, PLASTIC, QFP-208 |
|
| IDT70V3569S6BC | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
