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IDT70V34TS25PF8

更新时间： 2024-11-20 07:21:51
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 381K
描述
Multi-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100

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IDT70V34TS25PF8 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.34最长访问时间：25 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQFP-G100
JESD-609代码：e0内存密度：73728 bit
内存集成电路类型：MULTI-PORT SRAM内存宽度：18
湿度敏感等级：3端口数量：2
端子数量：100字数：4096 words
字数代码：4000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFP
封装等效代码：QFP100,.63SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.005 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.19 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20

IDT70V34TS25PF8 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V  
8/4K x 18 DUAL-PORT  
8/4K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
IDT70V35/34S/L  
IDT70V25/24S/L  
◆
Features  
Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed  
bus compatibility  
IDT70V35/34 (IDT70V25/24) easily expands data bus width  
to 36 bits (32 bits) or more using the Master/Slave select  
when cascading more than one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
BUSY and Interrupt Flag  
On-chip port arbitration logic  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply  
Available in a 100-pin TQFP (IDT70V35/24) & (IDT70V25/24),  
86-pin PGA (IDT70V25/24) and 84-pin PLCC (IDT70V25/24)  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
◆
◆
reads of the same memory location  
High-speed access  
◆
IDT70V35/34  
– Commercial:15/20/25ns (max.)  
– Industrial:20ns  
◆
◆
◆
IDT70V25/24  
– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)  
– Industrial:20/25ns  
Low-power operation  
◆
◆
◆
◆
– IDT70V35/34S  
– IDT70V35/34L  
Active: 430mW (typ.)  
Standby: 3.3mW (typ.)  
Active: 415mW (typ.)  
Standby: 660µW (typ.)  
◆
– IDT70V25/24S  
–
IDT70V25/24L  
Active: 400mW (typ.)  
Standby: 3.3mW (typ.)  
Active: 380mW (typ.)  
Standby: 660µW (typ.)  
Functional Block Diagram  
R/W  
L
R/W  
R
R
UBL  
UB  
LB  
CE  
OE  
R
LB  
CE  
OE  
L
R
R
L
L
,
(5)  
(5)  
I/O9R-I/O17R  
I/O9L-I/O17L  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
(4)  
(4)  
I/O0R-I/O8R  
I/O0L-I/O8L  
(2,3)  
L
(2,3)  
BUSY  
R
BUSY  
(1)  
12R  
(1)  
12L  
A
A
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
Address  
Decoder  
A0L  
A
0R  
13  
13  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE  
OE  
R/W  
R
CE  
OE  
L
L
R
R
R/W  
L
SEM  
R
SEM  
INTL  
L
(3)  
(3)  
INTR  
M/S  
5624 drw 01  
NOTES:  
1. A12 is a NC for IDT70V34 and for IDT70V24.  
2. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.  
3. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull.  
4. I/O0x - I/O7x for IDT70V25/24.  
5. I/O8x - I/O15x for IDT70V25/24.  
OCTOBER 2004  
1
DSC-5624/5  
©2004IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...25

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与IDT70V34TS25PF8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V34TS25PFG IDT

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 		Dual-Port SRAM, 4KX18, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TQ
IDT70V34TS35GGI ETC

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 		HIGH-SPEED 3.3V
IDT70V34TS35JGI ETC

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 		HIGH-SPEED 3.3V
IDT70V34TS55GGI ETC

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 		HIGH-SPEED 3.3V
IDT70V34TS55JGI ETC

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 		HIGH-SPEED 3.3V
IDT70V35 IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V3534SL IDT

获取价格

 		True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous reads of the same memory location
IDT70V3569 IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3569S IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE
IDT70V3569S4BC IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTE

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